額定正向平均電流IF：在環境溫度＋40℃和規定冷卻條件下，元件在電阻性負載的單相工頻正弦半波電路中，當結溫穩定且不超過額定結溫時，所允許的最大正向平均電流。
浪涌電流IFSM：在規定條件下，元件通以額定正向平均電流，穩定后，在工頻正弦半波周期間，所能承受的最大過載電流峰值。
反向不重復峰值電壓VRSM：在規定的測試線路中，在反向伏安特性曲線急劇彎曲處的反向峰值電壓。
反向重復峰值電壓VRRM：為反向不重復峰值電壓的80％。
反向不重復平均電流IRSM：對應于反向不重復峰值電壓下的平均漏電流。
反向重復平均電流IRRM：對應于反向重復峰值電壓下的平均漏電流。

2.可控硅整流元件

通態平均電流IT：在環境溫度為+40℃和規定冷卻條件下，元件在電阻性負載的單相工頻正弦半波，導通角不小于170度的電路中，當結溫穩定并不超過額定結溫時，所允許的最大通態平均電流。
斷態不重復峰值電壓 VDSM：門極斷路時，在正向伏安特性曲線急劇彎曲處的斷態峰值電壓。
斷態重復峰值電壓VDRM：為不重復斷態峰值電壓的90％。
斷態不重復平均電流IDSM：門極斷路時，在額定結溫下對應于斷態不重復峰值電壓下的平均漏電流。
斷態重復平均電流IDRM：對應于斷態重復峰值電壓下的平均漏電流。
門極觸發電流IGT：在室溫下，主電壓為6伏直流電壓時，使元件完全開通所必須的最小門極直流電流。
門極觸發電壓VGT：對應于門極觸發電流時的門極直流電壓。
斷態電壓臨界上升率dv/dt：在額定結溫和門極斷路時，使元件從斷態轉入通態的最低電壓上升率。
通態電流 臨界上升率di/dt：在規定條件下，元件用門極開通使所能承受而不導致損壞的通態電流的最大上升率。
維持電流IH：在室溫和門極斷路時，元件從較大的通態電流降到剛好能保持元件處于通態所必須的最小通態電流。

3.雙向可控硅元件

通態電流IT：在環境溫度為+40℃和規定冷卻條件下，元件在電阻性負載的單相工頻正弦半波電路中，當結溫穩定并不超過額定結溫時，所允許的最大通態電流有效值。
換向電流臨界下降率（di/dt）c：元件由一個通態轉換到相反方向時，所允許的最大通態電流下降率。
門極觸發電流IGT:在室溫下，主電壓為12伏直流電壓時，用門極觸發，使元件完全開通所需的最小門極直流電流。

4.快速可控硅元件

門極控制開通時間tgt：在室溫下，用規定門極脈沖電流使元件從斷態至通態時，從門極脈沖前沿的規定點起到主電壓降低到規定的低值所需要的時間。
電路換向關斷時間tq：從通態電流降至零這瞬間起，到元件開始能承受規定的斷態電壓瞬間止的時間間隔。